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美国商务部半导体出口管制新规详解及评述
2023年10月28日王克友 | 苏坦 | 闻浩杰

2022年10月7日,美国商务部工业与安全局(Bureau of Industry and Security,以下简称“BIS”)以限制中国的军事现代化能力,保护美国国家安全利益等为由,出台针对半导体领域的大规模的出口管制规则(以下简称“1007规则”),这是美国政府首次明确以中国为首要管控目标,大规模加强对先进芯片及芯片制造相关物项的出口管制。该规则的实施对中美乃至全球芯片供应链和市场都造成了巨大影响。

 

2023年10月17日,BIS在持续跟进和总结1007规则的实际应用、管控效果以及业界反馈后,再次针对半导体领域大规模发布新规(以下简称“1017规则”),分别是《额外出口管制的实施:特定先进计算物项,超算及半导体最终用途,更新及更正(Implementation of Additional Export Controls: Certain Advanced Computing Items; Supercomputer and Semiconductor End Use; Updates and Corrections)》以及《半导体制造物项的出口管制(Export Controls on Semiconductor Manufacturing Items)》。

 

整体而言,本次1017规则是对一年前1007规则的延续、强化与升级。一方面,BIS表示本次出口管制规则的修订,仍然是为了应对以中国为代表的美国战略对手的军事现代化发展对美国国家安全和外交政策利益的威胁。BIS认为,先进计算芯片和生产先进芯片所必需的关键半导体制造设备(Semiconductor Manufacturing Equipment,以下简称“SME”)对于大规模杀伤性武器(WMD)、先进武器系统、超大规模计算和人工智能能力的发展以及高科技监控等应用至关重要。如果美国的对手利用这些物项开发和部署先进武器系统和先进人工智能来支持军事应用,可能导致对手在军事能力上超越美国及其盟国,从而破坏地区和全球安全的稳定。

 

1017规则延续了1007规则的设计逻辑,从“物项”和“活动”(items and activities)两个方面进行管控。一方面,限制先进芯片相关物项流向中国等特定国家和地区的主体,并限制相关主体获取芯片制造相关设备类物项;另一方面,通过管控美国主体开展的活动,限制其为中国主体自主开展的先进半导体生产制造活动提供“支持”。

 

具体来看,结合公众反馈和执法实践经验,BIS力求通过本次规则修订,在精度、强度和广度方面对1007规则作进一步提升。一是精准关注关键的、可增强军力的技术,包括未来先进武器系统所需的逻辑集成电路、大容量和高性能数据存储集成电路,以及能够提高军事决策、规划和后勤的速度和准确性的人工智能所需的先进芯片和超算相关的SME。二是采取谨慎而有节制的手段,明确澄清模糊的规则细节和定义,降低规则实践过程中的不确定性,在实现美国国家安全目标的同时,降低对美国商业贸易不必要的干扰。

 

我们对本次1017规则所涉内容进行了梳理和统整,总结了本轮规则修订的变更要点,并结合BIS在该些文件中就特定公众反馈作出的答复和评论意见,尝试对该些出口管制规则的预计管控效果和未来发展趋势进行分析和评述,供读者参考。

 

一、与物项相关的修订

 

BIS通过修订3A090、3B090及3B001等ECCN所涵盖的物项范围,以及修改区域稳定(Regional Stability,“RS”)与国家安全(National Security,“NS”)等两个管控理由的适用范围和条件,进一步提高对先进芯片相关物项以及芯片制造相关物项出口管制的强度和精度,同时新增已告知先进计算许可例外(Notified Advanced Computing,以下简称“NAC”),修订消费类通信设备许可例外(Consumer Communication Devices, “CCD”),允许特定芯片类物项在满足适用条件的前提下可以豁免相关的许可要求。此外,BIS还进一步扩大了先进计算FDP规则的适用国家范围。

 

(一)对特定ECCN涵盖物项的扩充和修订

 

1. 调整先进芯片管控参数指标,重点管控AI模型训练相关芯片

 

3A090原采用“总输入与输出的双向传输率(aggregate bidirectional transfer)”以及“每秒万亿运算数(Tera Operations Per Second,TOPS)”作为界定本ECCN项下受控芯片物项参数范围的指标。该规则生效一年以来,BIS收到就该规则实际应用中的障碍的相关公众反馈,例如工业界就如何计算“总输入与输出的双向传输率”有多种方法和公式,计算结果可能大相径庭;特定芯片(例如可编程芯片,programmable ICs)本身不具备自带的通讯或运算能力(inherent communications or calculations capability),导致相关主体仅凭该两个指标无法确定自身所制造和交易的芯片是否落入3A090范围。

 

因此,BIS通过本次规则修订,调整了3A090的管控参数及物项描述,改为使用“总算力(TPP,total processing performance)”以及“性能密度(performance density)”两个指标界定3A090的管控范围,并且就该些指标提供了相应的明确计算公式。一方面,该些新指标能够适用更多类型的芯片,尤其是有助于BIS加强和扩大对可用于AI训练模型的相关芯片的管制,BIS称这些芯片训练出的AI模型在现代战争中具有极大的应用潜力;另一方面BIS表示使用“性能密度”这一新指标,意图防止通过采购大批量性能较低的AI芯片进行组合使用,从而实现与单一受限芯片一样强大的计算能力的情形。

 

更新后的3A090物项参数范围及具体指标的定义如下:

 

图片

 

有业界分析认为[1],使用“性能密度”这一指标一定程度上能够实现前述目标,但是仍可能有规避该些管制的办法,例如BIS将计算“性能密度”公式中使用的“可适用的芯片面积”定义为“逻辑芯片的所有芯片面积”,但并非逻辑芯片上的所有逻辑都是用于机器学习相关计算的,这意味着芯片厂商可以通过设计多余的芯片面积来人为降低“性能密度”指标,并继而规避管制。

 

与此同时,BIS修订了3A090项下的相关注释说明,明确将“非数据中心类(non-datacenter)”,也就是“不以用于数据中心为目的而设计或进行市场宣传”,且TPP未超过4800的芯片排除出该ECCN的涵盖范围。这一举措是为了避免本次扩大3A090物项管控范围对“非数据中心类芯片”的流转施加过于严苛的管控。根据路透社的报道[2],美国官员表示1017规则将绝大多数用于笔记本电脑、智能手机和游戏的消费类芯片排除了管制范围。

 

同日,英伟达就1017规则对其未来营收的影响作出了初步性回应[3],称此次出口管制涉及的自身产品包括但不限于:A100、A800、H100、H800、L40、L40S以及RTX 4090。任何集成了一个或多个以上芯片的系统,包括但不限于英伟达DGX、HGX系统,也在新规涵盖范围之内。因此,1017规则可能会影响其及时完成某些产品开发的能力,支持这些产品的现有客户,或向受影响地区以外的这些产品的客户供货,并可能被迫将部分业务迁出1017规则所重点管制的国家/地区。

 

2. 扩大对芯片制造设备相关的管控

 

1007规则的一个重要动作是新增了一个ECCN 3B090,来专门管控先进芯片制造相关的设备类物项,而本次1017规则将该ECCN删除,将其项下原先所管控的物项分别纳入3B001和3B002中,并作了一定的细化和扩展。BIS解释说,这一变动一是将类似的芯片制造相关设备统一列入同一ECCN进行管控,便于各方主体理解和遵守;二是虽然3B090项下物项目前仅是美国单边管控,但未来会通过瓦森纳协定被正式纳入多边管制范围,故现阶段依据EAR对ECCN的编号规则,将这些物项预先转列入3B001和3B002(注:依据EAR738.2,ECCN第三位数字为9代表单边管制,为0代表多边管制)。BIS也同步对3D001、3D002、3D003、3E001项下所管控的前述设备类物项相关的软件和技术的描述进行了相应更新。

 

在本次规则中被修订的3B001和3B002细项及BIS的修订理由总结概述如下:

 

3B001和3B002具体修订要点及修订理由

3B001.a.4

新增细项,管控为硅(Si)、碳掺杂硅、硅锗(SiGe)或碳掺杂硅锗外延生长而设计并具有特定参数的设备

BIS称3B001.a.1中提及的材料并不含硅,因此由3B001.a.4来囊括硅和硅加其他元素。3B001.a.4中的设备采用高真空或惰性环境技术,以确保外延生长过程中的高度清洁和条件可控。

3B001.b

修订范围,将“为离子注入而设计并满足特定参数的设备”(Equipment designed for ion implantation and having any of the following)限缩为“为离子注入而设计并满足特定参数的半导体晶圆制造设备”(Semiconductor wafer fabrication equipment designed for ion implantation and having any of the following)。

3B001.c.1

新增细项,管控干刻蚀设备,包括各向同性干蚀刻(3B001.c.1.a)和各向异性干蚀刻(3B001.c.1.b和c.1.c)。包括以自由基、离子、顺序反应或非顺序反应进行蚀刻的设备,以及使用射频脉冲激发等离子体的蚀刻、等离子体原子层蚀刻和等离子体准原子层蚀刻的设备。

BIS称只有瓦森纳协定的国家可提供前述原子精度设备。栅极全方位场效应晶体管(GAAFET)和类似三维结构需要高分离性的横向蚀刻,而各向同性的干蚀刻对于横向蚀刻必不可少。3B001.c.1中所管控的原子层蚀刻设备可产生高质量、先进的器械和结构(包括GAAFET和类似的三维结构)所需的垂直边缘。

3B001.c.2

新增细项,管控设计用于湿化学处理,且最大硅锗硅(SiGe:Si)蚀刻分离性比例大于等于100:1的设备

BIS称湿化学处理有多种用途,从化学去除材料(湿蚀刻)到沉积材料(电镀)、样品清洁,再到使用光刻技术在表面上绘制图案。这种特殊设备因其蚀刻离性高而受到控制,这对更先进技术节点的集成电路制造非常重要。

3B001. d

新增细项,管控目前用于制造先进节点集成电路的半导体晶圆制造沉积设备。3B090项下部分细项被迁移至本细项下,且在d.3、d.4、d.5和d.8中增加包括设计用于金属互联器的阻挡层、衬垫层、种子层或盖层的金属沉积的先进的制造设备物项。

BIS称触点和下层互连是向晶体管输送电流的最小和最关键的布线层,由于逻辑半导体的几何尺寸不断扩大,这些金属层现在已成为晶体管性能的瓶颈。

3B001.d.1

原3B090.a.1,增加了“设计”一词,以更好地突出管控重点,本段现在管控为钴(Co)电镀或无钴电镀沉积工艺而设计的设备

BIS称长期以来,半导体行业一直使用电镀在基板上沉积金属。在先进节点集成电路制造中,需要使用钴(Co)等阻挡层来阻止铜扩散到周围材料中。 

3B001.d.2

原3B090.a.2,增加了“设计用于......的设备”,并用“执行......”(by performing)取代了“能够”(capable of),以更好地突出管控重点。本段管控的是设计用于钴(Co)填充金属的化学气相沉积;或钨(W)填充金属的分离性性自下而上化学气相沉积的设备

BIS称此前的表述可能会无意中管制到用于在传统技术节点上生产逻辑集成电路的设备。使用“执行”可以更准确地控制用于在先进技术节点生产逻辑集成电路的设备。因此,根据BIS对这些管制的重点处理方法,并为了帮助出口管制合规,这些管制是基于设备的设计性能。

3B001.d.3

原3B090.a.3,将“能够制造”(capable of fabricating)改为“设计用来制造”(designed to fabricate),原因与d.2相同。本段管控设计用于在单室中通过多步骤加工制造金属触点的设备

3B001.d.4

原3B090a.5/8/9,管控为在多室或多位置中进行多步骤加工,在加工步骤之间保持高真空(等于或小于0.01帕)或惰性环境而设计的SME或系统

3B001.d.5

新增细项,管控设计用于等离子体增强化学气相沉积碳硬掩膜(特定参数)的设备

BIS称由于半导体设备的特征尺寸减小,制造时需要蚀刻分离性性更高和透明度更好的碳硬掩膜,故使用该细项管控相关设备。

3B001.d.6

原3B090.a.10,管控使用有机金属化合物对阻挡层或衬垫进行区域选择性沉积的原子层沉积(ALD)设备

BIS称原子层沉积 (ALD) 设备已成为当今最先进设备以及行业向3D架构过渡的关键推动因素。在晶圆基底上,ALD工艺直接堆积材料,每次只堆积单层的一小部分,从而形成最薄、最均匀的薄膜。这种工艺的自限制性和相关的保形沉积能力是其作为三维扩展推动者的重要基础,例如在制造3D DRAM、3D NAND 和FinFET/GAAFET逻辑集成电路方面。

3B001.d.7

原3B090.a.11,管控设计用于原子层沉积(ALD)钨(W)的设备

3B001.d.8

新增细项,管控特定参数的为工作功能金属的原子层沉积(ALD)而设计的设备

3B001.d.9

新增细项,管控空间ALD设备,该设备具有一个可绕轴旋转的晶圆支撑平台,且该平台具有以下任一特征:空间等离子体增强 ALD 操作模式、等离子体源、等离子体屏蔽或可将等离子体限制在等离子体曝光工艺区域。

BIS称本细项描述所包含的设备特征有助于减少沉积过程中不需要的颗粒,达到制造先进节点集成电路所需的程度。

3B001.d.10

新增细项,管控等离子体增强型低氟钨薄膜的ALD或化学气相沉积(CVD)设备

BIS称该设备对于填充具有更高、更窄宽高比的先进节点器件结构中的空隙至关重要,可将电阻降至最低并提高性能。

3B001.d.11

新增细项,管控为沉积金属层和维持特定真空或惰性气体环境而设计的设备,包括为化学气相沉积或循环沉积工艺设计的氮化钨层沉积设备。

BIS称这种设备可以实现钨的无缺陷沉积,这对生产先进节点集成电路至关重要。

3B001.d.12

新增细项,管控为沉积金属层和维持特定真空或惰性气体环境而设计的设备,包括为无屏障选择性钨生长而设计的设备和为无屏障选择性钼生长而设计的设备。

BIS称这种设备可制造出电阻率明显降低的触点,这对制造先进节点集成电路非常重要。

3B001.d.13

新增细项,管控使用有机金属化合物沉积钌(Ru)层同时将晶片基板保持在特定温度的设备

BIS称在特定条件下沉积 Ru 层对实现先进节点集成电路制造所需的低电阻率互连非常重要。

3B001.d.14

新增细项,管控通过远程生成的自由基辅助,可制造出具有特定性能的含硅和碳薄膜的沉积设备

BIS称这种特殊工艺可提高薄膜的周期稳定性,这对制造先进节点集成电路非常重要。

3B001.d.15

新增细项,管控设计用于在金属线之间的间隙中无空隙等离子体增强沉积低k介电层并具有特定参数的设备

BIS称低介电常数CVD阻挡层薄膜可降低铜镶嵌结构的介电常数 (k),从而降低电容(功耗),从而可制造更先进的集成电路。

3B001.d.16

新增细项,管控与d.14所述能力相似的沉积设备,但该设备同时也满足特定温度要求,具有容纳多个垂直堆叠晶片的能力,并具有特定的注入器配置。

3B001.f.1

新增细项,管控使用光电或 X射线方法,用于晶圆处理的步进重复(直接在晶圆上)或步进扫描(扫描仪)设备。其中3B001.f.1.b包括光源波长等于或长于193纳米且符合特定参数的设备,该设备能够生成45纳米或更小“最小可分辨特征尺寸”(MRF)的图案;并且(1)专用卡盘覆盖值小于等于1.50纳米或(2)大于1.50纳米但小于等于2.4纳米。

BIS称这种设备对于通过减少总边缘贴装误差来提高分辨率而言是必不可少的,总边缘贴装误差是衡量同一曝光掩膜层上图案叠加之间精度的一个指标。

3B001.k

新增细项,管控设计用于离子束沉积或物理气相沉积EUV掩膜的多层反射器的设备

3B001.l

新增细项,管控EUV贴膜

3B001.m

新增细项,管控制造EUV贴膜的设备

BIS称掩膜、光罩和相关的贴膜是EUV光刻的关键部件,其本身可用于制造更先进的生产节点所使用的极小特征尺寸。

3B001.n

新增细项,管控EUV光刻配制的光刻胶的涂层、沉积、烘烤或显影设备

BIS称EUV光刻胶对先进节点集成电路的生产至关重要。

3B001.o

新增细项,管控半导体晶圆制造退火设备

BIS称就硅晶圆而言,退火通常用于改善晶圆的表面粗糙度和晶圆质量。退火还可用于去除晶圆表面的缺陷和杂质。在生产用于制造先进节点集成电路的硅片时,由于其特征尺寸较小,因此这种去除更为重要。

3B001.p

新增细项,管控三类半导体晶圆制造清洁和清除设备。其中3B001.p.1管控的是为去除聚合残留物及氧化铜膜而设计,并能在真空(等于或小于0.01 Pa)环境中沉积金属铜的设备。3B001.p. 2管控具有表面改性干燥功能的单晶圆湿式清洁设备,但不包括可能将清洗和干燥步骤作为其整体流程一部分的平面设备。3B001.p.3管制为干式表面氧化物去除预清洁或干式表面去污而设计的设备。

BIS称在先进节点集成电路制造过程中,频繁清除污染物和清洁晶圆至关重要。在先进技术节点上,任何污染物、不需要的微粒或碎屑,在纳米范围内,都很容易造成短路,使集成电路失效。

3B002.c

新增细项,管控设计用于EUV掩膜坯料或EUV图案掩膜的检测设备

BIS称半导体检测工具通过优化流程、提高质量和产量来增加产能,而这些工具的专业版本需要用于检测由EUV实现的先进技术节点,因此需要对EUV(高端)掩膜进行管控。

 

其次,BIS对3B001和3B002两个ECCN的标题都进行了扩充,将“生产半导体制造设备的设备”加入3B001标题,将“检测设备”加入3B002标题, 进一步扩大了该两个ECCN可能覆盖的设备类型,具体变化如下:

 

ECCN

原标题

现标题

3B001

制造下列半导体器件或材料的设备,及为其而“专门设计”的“部件”和“配件”

制造下列半导体器件、材料和相关设备的设备,及为其而“专门设计”的“部件”和“配件”

3B002

为测试下列已完成或未完成的半导体器件而“专门设计”的测试设备,及为其而“专门设计”的“组件”和“配件”

为测试和检测下列已完成或未完成的半导体器件而“专门设计”的测试和检测设备,及为其而“专门设计”的“组件”和“配件

 

根据BIS就前述修订所作的理由说明,不难看出美国商务部在1017规则中着力提高芯片相关管制的精准度,通过尽可能明确参数指标、物项描述的方式,将管控限制在对先进芯片制造而言“必不可少”的设备和相关软件与技术上。这也是延续美国政府在出口管制领域所采取的“小院高墙”立场,在限制先进芯片制造设备相关物项流转的同时,尽可能避免过度刺激全球各国企业在供应链层面去美国化。

 

其次,本次1017规则对3B001和3B002的修订,一定程度上是反映此前美日荷就限制出口部分先进芯片制造设备的三方协议的相关内容,有部分细项的描述与此前日本与荷兰分别于5月23日、6月30日发布的芯片制造设备相关出口管制规则所包含的管控物项描述高度重合。有分析认为,美国将这些设备类物项纳入本国出口管制范围,很有可能得到了日荷两国政府的同意甚至欢迎。据统计,营收占比排名全球前15大的半导体制造设备厂商中,有13家来自美、日、荷三国,三国共占全球半导体制造设备近80%的市场份额[4]。显而易见,三国政府可以利用其在全球半导体产业链中的垄断性地位,联动出口管制政策。但实际操作中,日本和荷兰在出口管制方面的执法能力、范围和条件均无法与美国比肩。如果美国政府可以借助ECRA及EAR所建立的域外管辖有效落实这些规则,限制相关物项的流通,营造相对于日荷而言更为均衡的全球竞争环境,那么日、荷两国政府同意甚至欢迎美国政府实施新的管制则不难想象。

 

光刻机制造商ASML针对1017规则表示[5],考虑到这些规定的长度和复杂性,其需要仔细评估任何潜在的影响。根据目前的信息,其预计仅有与中国先进半导体制造相关的有限数量的晶圆厂的业务直接受到影响,但在中长期可能会影响其目标销售地区的分布。ASML称公司将与美国当局进一步澄清1017规则的范围,以便实现合规经营。

 

(二)对管控理由的修订

 

1. 对RS管控理由的相关规定进行修订

 

此前,依据EAR742.6(a)(6),3A090和4A090所管控的物项,以及“任何达到或超过该两个ECCN规定的性能参数标准的”其他非EAR99类物项,在对中国(包括澳门)出口、再出口时均需向BIS申请许可。但BIS收到公众的相关反馈,表示在实际操作过程中很难确定何时需要对被归入其他ECCN的物项作此性能判断。故在本次规则修订中,BIS选择删除“任何达到或超过该两个ECCN规定的性能参数标准的”这一兜底性表述,转而选择明确列示全部可能适用该RS管控的ECCN。BIS在3A001、4A003、4A004、4A005、5A002、5A004、5A992、5D002、5D992这9个ECCN项下分别新增z段(.z paragraph),并规定EAR742.6(a)(6)所设置的许可要求仅会适用于3A090、4A090以及前述9个ECCN的z段所覆盖的物项。

 

其次,BIS通过本次修订,将D:1、D:4、D:5国家组国家也纳入了EAR742.6(a)(6)所适用的出口目的地国家范围,并针对不同ECCN的物项和其出口目的地、出口行为的不同,适用严格程度不一的许可审查政策。BIS认为,这一适用范围的扩张,有助于防范中国主体通过其外国子公司采购,以经由第三国转运等方式获取受控的先进芯片。

 

更新后的针对先进计算和半导体制造相关物项的RS管控规则具体如下:

 

EAR742.6(a)(6)许可要求和对应审查政策

适用的物项

适用的出口行为(注:视如出口不适用本规则)

审查政策

3B001.a.4,c,d,f.1.b,k-p;3B002.b,c;3A090,4A090,5A992以及与其相关的3D001软件(此处“相关”是指用于3B001.a.4,c,d,f.1.b,k-p;3B002.b,c;3A090,4A090,5A992);3D002软件(此处“相关”是指用3B001.a.4,c,d,f.1.b,k-p;3B002.b,c);4D090软件;4E001技术(此处“相关”是指用于3A090或4A090);5D992软件(此处“相关”是指用于达到或超过3A090或4A090性能参数)

向中国澳门或任何D:5国家组国家或在前述国家/地区境内或之间的出口、再出口、境内转移

【§744.23(d)】整体采取推定拒绝政策,但如果符合以下任意情形则适用个案审查政策:

(1)运往总部位于美国或A:5或A:6国家组的中国最终用户或

(2)在EAR744部分下无需许可

由任何总部(headquarter)或其最终母公司(ultimate parent company)的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体所开发(developed)的3E001(用于3A090)技术;且

该技术是(1)受EAR管辖的软件的直接产品;且(2)是为了“生产”3A090、4A090、3A001.z、4A003.z、4A004.z、4A005.z、5A002.z、5A004.z、5A992.z项下的物项

从中国澳门或任何D:5国家组国家境内发起(originated from)的,且目的地为非A:5或A:6国家组国家的出口、再出口或境内转移

(1)3A001.z、3A090、3D001(用于3A001.z、3A090物项的软件)、3E001(用于3A001.z、3A090物项的技术);或

(2)4A003.z、4A004.z、4A005.z、4A090、4D001(用于4A003.z、4A004.z、4A005.z物项的软件)、4D090(用于4A090物项的软件)、4E001(用于前述所有物项的技术);或

(3)5A002.z、5A004.z、5A992.z、5D002.z、5D992.z、5E002(用于5A002.z、5A004.z物项和5D002(用于5A002.z、5A004.z物项的软件)软件的技术)、5E992(用于5A992.z、5D992.z物项的技术)

向任何D:1、D:4、D:5国家组国家(同时被列入A:5或A:6国家组的国家除外)或在其境内的出口、再出口或境内转移

针对以下情形采取推定拒绝政策:

(1)目的地为D:5国家组国家或中国澳门,或

(2)目的地为非D:5国家组国家(中国澳门除外)但出口对象为任何总部(headquarter)或其最终母公司(ultimate parent company)的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体

目的地为非D:5国家组国家(中国澳门除外)且不符合上述情形的采取推定许可政策

 

2. 对NS管控理由的相关规定进行修订

 

通过1017规则,BIS对EAR742.4的整体内容进行了结构性调整,首先开宗明义地总结了美国实施NS管控的政策考量,是“限制对任何其他国家或国家组的军事潜力作出重大贡献、对美国的国家安全有害的物项的出口和再出口”。其次,明确了因NS理由受到管控的物项范围:“一般情况下,CCL中因NS理由受到管控的物项是指列在瓦森纳协定的《两用物项和技术清单》上的物项,以及瓦森纳协定的《军火清单》上的物项。600系列物项和9x515物项也因NS原因受到管控。”

 

EAR742.4(a)(4)规定了在向中国澳门或任何D:5国家组国家出口、再出口或境内转移携带NS标签的3B001、3B002项下的特定半导体制造设备(3B001.a.4、c、d、f.1.b、k-p;3B002.b-c),以及与之相关的3D001、3D002项下软件和3E001项下技术类物项时需要申请许可。依据EAR742.4(b)(2)的规定,前述出口的许可申请审查政策与EAR744.23(d)保持一致,即整体采取推定拒绝政策。不过如果相关出口依据EAR744部分无需申请许可,则采用个案审查政策。BIS在审查相关申请时会具体考虑以下因素:(1)物项的种类和数量;(2)其军事或民用用途;(3)相同或类似物项在国外的供应情况;(4)目的地国家;(5)最终用户和用途。

 

(三)对许可例外的修订

 

1017规则首先通过修订EAR740.2,也就是对许可例外适用的整体性规定,明确了先进芯片和芯片制造设备相关物项能够适用的全部许可例外范围,具体如下:

 

ECCN

出口目的地

可适用的许可例外

3B001.a.4、c、d、f.1.b、k to p; 3B002.b和c; 以及与前述ECCN项下物项相关且归类为3D001、3D002、3D003或3E001的物项

向中国澳门或任何D:5国家组国家或在前述国家/地区境内或之间的出口、再出口、境内转移

GOV

(1)3A090,4A090以及与其相关的3D001,3E001,4D090,4E001项下的软件和技术;或

(2)3A001.z、3D001(用于3A001.z、3A090物项的软件)、3E001(用于3A001.z物项的技术);或

(3)4A003.z、4A004.z、4A005.z、4D001(用于4A003.z、4A004.z、4A005.z物项的软件)、4E001(用于前述所有物项的技术);或

(4)5A002.z、5A004.z、5A992.z、5D002.z、5D992.z、5E002(用于5A002.z、5A004.z物项和5D002(用于5A002.z、5A004.z物项的软件)软件的技术)、5E992(用于5A992.z、5D992.z物项的技术)

向任何D:1、D:4、D:5国家组国家(同时被列入A:5或A:6国家组的国家除外)或在其境内的出口、再出口或境内转移

TMP

NAC

RPL

GOV

TSU

 

1. 新增“已告知先进计算(Notified Advanced Computing,NAC)”许可例外,允许具备AI计算能力的消费类芯片或软件流转

 

考虑到特定具备先进计算能力的消费类芯片及软件可能落入3A090等芯片物项相关ECCN的管控范围,BIS专门新增了一项名为“已告知先进计算”的许可例外。该许可例外允许性能参数达到3A090等11个ECCN项下特定细项所规定的性能参数标准的芯片或软件,在满足许可适用条件的前提下,无需许可即可在任何D:1、D:4国家组国家境内或该些国家/地区之间出口、再出口或转移,同时,允许其无许可在中国澳门或任何D:5国家组国家境内转移。

 

同时,该许可例外明确规定了两类适用排除情形,也就是说,相关出口行为即使满足上述NAC适用条件,如果因EAR在最终用户、最终用途、地区禁运等方面的其他规定而需要申请许可,除非符合本许可例外所规定的许可适用排除情形的除外情形,否则NAC无法免除前述许可要求。该许可例外的具体规定详见下表:

 

NAC许可例外

可适用的出口场景

适用条件

适用排除情形

适用排除情形的除外情形

归类为3A090、4A090、3A001.z、4A003.z、4A004.z、4A005.z、5A002.z、5A004.z、5A992.z、5D002.z、5D992.z在(1)任何D:1、D:4国家组国家境内或该些国家/地区之间出口、再出口或转移,

(2)在中国澳门或任何D:5国家组国家境内转移

(1)除商业样品外,在相关国家/地区间的出口、再出口行为必须依据书面采购订单(written purchase order)进行;

(2)如果出口、再出口的目的地是中国澳门或任何D:5国家组国家,则出口商必须在首次出口、再出口行为开始前按EAR规定通知BIS,并获得BIS的确认(confirmation)

出口行为依据EAR第744、746部分的任意规定需要申请许可,或

许可要求是依据EAR744.23(a)(3)的规定而施加的,即出口、再出口目的地为非D:1、D:4、D:5国家组国家,但因出口对象是总部(headquarter)或其最终母公司(ultimate parent company)总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家而需要申请许可

出口行为是面向或为了(to or for)“军事最终用途”或“军事最终用户”

 

2. 对特定低端芯片适用CCD许可例外

 

1017规则将3A991.p和4A994.l项下的物项纳入CCD许可例外所适用的物项范围内。前述ECCN细项所包含的物项均属于低端芯片类物项,因此在满足CCD许可例外所规定的其他适用条件的前提下,无需向BIS申请许可即可出口。

 

(四)对EAR域外管辖规则的修订

 

1. 调整最小比例规则(De Minimis Rule),强化对先进光刻设备域外流转的管控

 

BIS表示,在先进节点集成电路最小可分辨特征(MRF)尺寸逐渐减小的趋势下,必须加强对先进的浸没式光刻设备的管控。因此,BIS将符合3B001.f.1.b.2.b描述的先进光刻设备相关物项在EAR最小比例规则下的受控比例阈值从25% 下调至0%。按照本次修订后EAR734.4(a)(3)的规定,未来在美国境外生产的任何物项,如果含有任何美国原产的3B001.f.1.b.2.b项下设备(equipment),且该设备将最终用于“研发”或“生产”“先进节点集成电路(Advanced-Node Integrated Circuits)”,那么该外国制造物项将直接落入EAR管辖,其后续流转均需遵守美国出口管制要求。

 

BIS在EAR772.1中给出了“先进节点集成电路(Advanced-Node Integrated Circuits)”的定义,其指的是符合以下任一条件的集成电路:

 

(1)采用非平面晶体管结构或生产技术节点为小于等于16/14纳米的逻辑集成电路;

 

(2)大于等于128层的NAND存储集成电路;

 

(3)采用小于等于18纳米半间距生产技术节点的动态随机存取存储器(DRAM)集成电路;

 

技术节点一词参照《国际设备和系统路线图》(2016)[6]的图表,具体如下:

 

图片

 

计算半节距的方法同样依据《国际设备和系统路线图》提供的公式:

 

图片

 

其中,Cell size factor根据DRAM的结构可能是8/6/4,“Cell Area”被定义为字线和位线,需要考虑晶体管和电容的尺寸。

 

不过,针对上述最小比例规则的域外管辖,BIS也设置了一项管辖排除规则,如果包含美国原产的3B001.f.1.b.2.b项下设备的外国制造物项,是从特定与美国设置类似出口管制规则的国家首次出口,那么其后续流转将不受EAR管辖。也就是说,如果该外国制造物项是从一个同样对3B001.f.1.b.2.b项下光刻设备实施与美国类似的出口管制措施的国家出口,即使该外国制造物项包含美国原产的3B001.f.1.b.2.b项下设备,其出口、再出口和境内转移也不受EAR管辖。根据BIS对该条款的脚注说明,目前仅有日本被BIS认定为适用该排除规则的国家。

 

2. 扩大先进计算外国直接产品(FDP)规则的适用国家范围

 

1017规则将先进计算FDP规则的适用地区范围进一步扩大,覆盖所有D:1,D:4和D:5组国家(同时列为A:5或A:6国家组的国家除外)。修订后的FDP规则具体如下:

 

图片

 

BIS还就部分有关FDP规则的公众反馈进行了答复,其承认1007规则出台的与芯片相关的几项FDP规则一定程度上加重了相关企业的合规负担,但其认为现有的FDP规则并不像部分公众反馈所认为的“过于宽泛,覆盖了过多低端的软件和技术”。BIS认为,虽然FDP规则可能覆盖了许多看似低端的物项,但是从国家安全和外交政策的角度看来,该些物项存在高端到低端不同技术级别的应用(agnostic),因此仍有管控的必要。

 

BIS同时就其他有助于相关主体识别物项是否受到FDP规则管控的方式方法向公众进一步征求意见,并表示未来BIS会持续监控FDP规则的实施成效,适时调整。同时,BIS也在积极推动该类FDP规则成为多边出口管制规则机制中的一部分。

 

二、对超算和半导体制造最终用途规则的修订

 

BIS表示,1007规则实施以来,公众多有反馈超算和半导体制造相关最终用途规则在实际执行中存在模糊地带,导致对传统制程芯片制造供应链造成不必要的冲击。故1017规则对EAR744.23进行了系统性调整,力求提高本最终用途规则的针对性,在打击中国本土半导体生产制造能力的同时,避免美国生产者不必要地失去对中国市场的长期供应地位,或者失去中国原材料供应商,进而同世界半导体供应链隔绝。

 

(一)新增先进计算最终用途管控

 

BIS在EAR744.23项下新增对先进计算最终用途的管控,针对11个ECCN项下的物项,如果出口商在向非D:1、D:4、D:5国家组国家出口时,已知该些物项将用于(for)任何总部或其最终母公司(ultimate parent company)的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体,必须申请许可。BIS认为,该最终用途管控规则可以有效防止中国或其他D:5国家组国家实体通过在其他地区建立云计算或数据服务器的方式训练AI模型。

 

先进计算最终用途管控

物项范围

出口目的地范围

最终用途范围

受EAR管辖且归类为3A090、4A090、3A001.z、4A003.z、4A004.z、4A005.z、5A002.z、5A004.z、5A992.z、5D002.z、5D992.z

目的地为D:1、D:4、D:5国家组国家(同时被列入A:5或A:6国家组的国家除外)以外的其他国家

用于任何总部位于或其最终母公司(ultimate parent company)的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体

 

(二)新增对3E001技术用于生产先进计算物项的最终用途的管控

 

在EAR744.23项下,BIS新增对特定芯片技术用于先进计算物项生产的最终用途实施管控,如果出口商在向D:1、D:4、D:5国家组国家再出口或境内转移因“先进计算FDP规则”而受EAR管辖且由任何总部或其最终母公司(ultimate parent company)的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体所开发的3E001(用于3A090)的技术类物项时,已知该技术是为了生产9个ECCN项下的物项时,必须申请许可。BIS认为,该规则能够防止中国或其他D:5国家组国家实体通过在其他地区研发先进芯片相关的技术类物项来规避EAR的管辖。

 

3A001技术用于生产先进计算物项的最终用途管控

物项范围

出口目的地范围

最终用途范围

(1)归类为3E001并是用于3A090的技术类物项;

(2)因先进计算FDP规则而落入EAR管辖

从D:1、D:4、D:5国家组国家(同时被列入A:5或A:6国家组的国家除外)或在该些国家境内向任何目的地再出口或境内转移

用于“生产”归类为3A090、4A090、3A001.z、4A003.z、4A004.z、4A005.z、5A002.z、5A004.z、5A992.z的物项

 

(三)对超算、先进节点集成电路、半导体制造设备最终用途管控的修订

 

1017规则同步修订了1007规则针对中国芯片制造厂商开发或生产芯片最终用途以及中国超级计算机最终用途相关的管制规则,整体调整了EAR744.23条的内容结构,分别针对超算、先进节点集成电路、芯片制造设备相关的最终用途。针对前两者的修订,主要是配合对物项ECCN等其他修订进行的调整,针对芯片制造设备最终用途规定的修订则有两大改变,一是将该最终用途管制规则适用的国家范围拓宽到D:5国家组国家;二是提出“前端集成电路”这一概念,将其定义为“从空白晶圆或基板到完成晶圆或基板的生产阶段使用的设备(即集成电路已加工但仍在晶圆或基板上)”,排除仅用于后端步骤或其他不改变集成电路技术水平的应用(例如,集成电路生产之外)的设备,以及被归类为3B001.g.h.j;3B991.b.2的掩膜和其他物项。

 

BIS认为,本条的总体目的是抑制前端集成电路生产设备和相关部件和组件的在其他国家的国产化,以免使第744.23(a)(2)条(先进节点集成电路最终用途)中的管控措施失效。因此BIS缩小了§744.23(a)(4)的范围,将重点放在最可能与先进节点集成电路的生产相关的设备类型(即先进设备)上,其中可能包括仅因AT原因控制的节点不确定工具(node-agnostic tools)。

 

BIS在针对公众反馈的答复中强调,对于任何非EAR99类物项,不考虑其具体对应的ECCN,即使其出口是用于开发或生产前端集成电路制造设备及其零部件,只要该些设备和零部件未被归类为3B001(3B001.g.h.j除外)、3B002、3B991 (3B991.b.2除外)、3B992,本最终用途规则就不限制前述物项的出口,因此不会对传统制程芯片制造设备供应链造成过大的负面冲击。同时BIS表示,将掩膜和相关物项从芯片制造设备最终用途相关限制规定中排除,是因为其认同公众的反馈,该些物项不是传统意义上的生产设备,BIS并不希望过度限制该些物项的出口。但同时BIS也强调,如果掩膜、线和掩膜基板等相关物项符合先进节点集成电路最终用途所规定的情形,即“用于在位于中国存在先进节点集成电路生产活动的设施内用于研发或生产集成电路”,那么该些物项的出口会因为先进节点集成电路最终用途的限制性规定而受限。

 

修订后的超算、先进节点集成电路、半导体制造设备最终用途具体如下:

 

超算、先进节点集成电路、半导体制造设备最终用途管控

除了CCL对物项的许可证要求外,如果在出口、再出口或转让(国内)时知道该物项的目的地、最终用途或最终用户类型为下文(a)(1)至(4)段(注:(a)(3)目前空缺,属于保留(reserved)段)的EAR物项,除非有适用的(a)(5)段除外条款,否则不得在没有许可证的情况下出口、再出口或转让(国内)

物项范围

最终用途范围

(a)(1)超算

(1)受EAR管辖,归类为3A001、3A991、4A994、5A002、5A004或5A992的集成电路;

(2)受EAR管辖,被归类为4A003、4A004、4A994、5A002、5A004或5A992的计算机、电子组件或部件

(1)用于开发、生产、使用、操作、安装(包括现场安装)、维护(检查)、修理、大修或翻新位于或运往中国的超级计算机;

(2)被包含于,或用于开发/生产将用于位于或运往中国的超级计算机的部件或设备

(a)(2)先进节点集成电路

受EAR管辖的任何物项

知道物项将在位于中国存在先进节点集成电路生产活动的设施内用于研发或生产集成电路

受EAR管辖且被归类为CCL第三类物项产品组B、C、D或E的物项(即ECCN以3B、3C、3D、3E开头)

知道物项将在位于中国存在集成电路生产活动的设施内用于开发或生产集成电路,但不知道该设施是否存在先进节点集成电路生产活动

(a)(4)芯片制造设备

任何受EAR管辖的非EAR99类物项

运往中国澳门或D:5国家组国家,用于开发或生产3B001(3B001.g.h.j除外)、3B002、3B991 (3B991.b.2除外)、3B992中的“前端集成电路”生产设备、部件、组件及配件

(a)(5)除外情形

“生产”不包括不改变集成电路技术水平的组装、测试或封装等后端步骤

 

三、对美国人“支持”行为限制性规则的修订

 

1007规则首次“以与大规模杀伤性武器相关的最终用途相关”为由,针对美国人“支持”在中国开发或生产特定先进芯片的相关行为设置许可要求,即使该些行为不涉及任何受EAR管辖的物项。针对规则实施以来BIS收到的各界反馈,BIS通过1017规则进一步对该限制性规定作了系统性完善和扩张,同时通过增加定义和除外情形等说明帮助相关主体更准确地理解和遵守该规定的要求。

 

(一)明确美国人不得“支持”在特定国家进行的先进节点集成电路研发和生产

 

此前,1007规则仅限制美国人对位于中国境内的芯片制造设施(semiconductor fabrication facility)开发或生产符合特定性能参数标准的集成电路的活动提供支持。但1017规则将D:5国家组国家全部纳入本限制性规则的适用国家范围,要求美国人在知晓相关物项将会被用于在总部或其最终母公司总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家境内的实体的设施(facility)研发或生产相关芯片物项,就不得无许可进行特定的“支持”行为。并且根据1017规则对相关ECCN的修订,配套调整了本规则所适用的物项范围。

 

同时,根据公众反馈,BIS将规则中的一些专有名词进行了修订,一是将物项可能的用途由“制造(fabricate)”一词替换为“生产(production)”和“研发(development)”芯片。根据EAR对“研发”和“生产”二词的定义,“研发”指线性生产之前的所有阶段,例如设计、设计研究、设计分析、设计概念、原型的组装和测试、试生产计划、设计数据、将设计数据转化为产品的过程、配置设计、集成设计、布局等;“生产”指所有生产阶段,包括产品工程(engineering)、制造、集成、装配(安装)、检查、测试、品控等。BIS认为,与“制造”相比,“研发”和“生产”能够覆盖更多类型的活动,尤其是在可能不涉及大批量芯片生产的研发制造设施(R&D fabrication facilities)所进行的早期芯片生产活动,以及在具备研发部门和功能的芯片生产设施所进行的研发活动。同时BIS通过在本条下新增EAR744.6(d)(3),澄清“生产”不包括不改变集成电路技术水平的后端步骤,如组装、测试或封装。

 

二是将“半导体制造设施(semiconductor fabrication facility)”精简为“设施(facility)”。BIS称这一修订是为了明确其在执行本限制性规则中对独立建筑物的关注,即使一栋建筑物中并非所有生产线都能够生产先进节点集成电路,该建筑物在1017规则下也会被整体认定为是“先进节点集成电路研发或生产活动发生的设施”。同时,去除“设施”前面的限定词,也有助于将该规则适用于其他核心功能并非“芯片制造”的建筑,只要有“先进节点集成电路的研发和生产活动”在其之中发生,该建筑就属于本规则所称“设施”。不过BIS同时强调,只进行消费类芯片(例如智能手机芯片)设计这类研发活动的设施不在该规则限制范围内,因为该些研发活动所设计的芯片将在中国境外或在获得批准的在中国的设施中生产,因此将此类设施从本规则中排除,避免过度管控和影响此类研发活动。

 

三是针对本条所禁止的具体的美国人“支持”行为,1017规则将“安装(installation)”明确纳入“服务(servicing)”行为范围,也就是说除“维护、修理、大修、翻新”以外,如果不受EAR管辖的相关物项符合本规则所规定的最终用途或最终用户条件,美国人也不得进行或协助涉及该些物项的安装活动。同时BIS通过在本条下新增EAR744.6(d)(5)除外条款,规定如果相关“服务”活动不在存在先进节点集成电路生产活动的设施中进行,则无需申请许可。BIS认为这可以避免限制传统制程芯片生产设施内的维修活动。

 

修订后的规则具体如下:

 

物项类型

最终用途或最终用户范围

被禁止的“支持”行为

不受EAR管辖的任何物项

知道这些物项运往中国澳门或任何D:5国家组国家或在其境内转移,并将在总部或其最终母公司总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家境内实体的、存在先进节点集成电路生产活动的设施中用于研发或生产集成电路

批准/授权运输、传输或境内转移

 

・通过运输、传输或境内转移的方式交付

 

服务(包括维护、修理、大修、翻新、安装)

 

协助上述行为

任何不受EAR管辖但产品性能参数符合CCL3类B-E组中任何ECCN描述的物项

知道这些物项运往中国澳门或任何D:5国家组国家或在其境内转移,并将在总部或其最终母公司总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家实体的、存在集成电路生产活动(但不知道是否是先进节点集成电路生产活动)的设施中用于开发或生产集成电路

任何不受EAR管辖但性能参数符合3B001.a.4、c、d、f.1.b、k -p;3B002.b和c; 3D001(for 3B001.a.4, c, d, f.1.b, k-p, 3B002.b和c)、3D002(for 3B001 a.4, c, d, f.1.b, k-p, 3B002.b和c)、3E001(for 3B001 a.4, c, d, f.1.b, k- p, 3B002.b和c)的物项

知道这些物项运往中国澳门或任何D:5国家组国家或在其境内转移,不论其最终用户和最终用途

 

(二)澄清特定不受限制的美国人行为

 

1017规则在EAR744.6项下新增(d)(1)-(5)项,对该规则实施以来公众的普遍疑问进行了必要的澄清,明确排除了一系列不受本条限制的美国人行为。除上文提到的EAR744.6(d)(3)和(d)(5)外,(d)(2)和(d)(4)分别是针对美国政府雇员以及针对美国或A:5或A:6国家组国家公司雇员的除外条款,在此不再赘述。

 

EAR744.6(d)(1)首先排除了某些行政和文书活动。该条结合了此前BIS针对1007规则发布的FAQ的一些内容,规定特定行政或文书工作不在本条所禁止的美国人行为范围内,包括进行如安排装运或准备财务文件,执行针对受限的运输、传输或转移行为的决定[9],以及与提供或维修开发/生产先进节点集成电路特定物项没有直接关系的活动。

 

在1017规则的公众反馈答复中,BIS进一步说明,由行政或办事人员进行的、并且只是为了执行决策者关于出口、再出口或境内转让的决定的行为,包括提供帮助企业运作的后台服务,如信息技术服务、财务服务或人力资源支持;接收和处理订单;开具发票和收取现金或应收账款;就EAR要求或其他合规义务提供法律建议和咨询;将任何事项或机会对接给任何非美国人等都不属于本条所限制的行为。如果美国人进行的是“管理监督(management oversight)”类的工作,BIS认为需要根据具体场景,判断相关行为是否涉及针对出口、再出口、境内转移的决策,如果涉及则在本条下需要申请许可。

 

此外,如果协助行为所针对的行为已经获得BIS许可,一些原本可能因本条受限的“协助”行为也就不再受限,包括但不限于与中国半导体客户(包括实体清单上的各方)进行许可货运的贸易合规清关或其他授权活动,以及为获得BIS许可证的实体清单上的各方的货运提供行政和有限的服务支持。

 

值得注意的是,BIS还专门针对美国人担任公司高管(如首席执行官、首席财务官、首席运营官、总裁、董事会)对于违规交易不知情的情形,如何判断该美国人的行为是否违反本条规定进行了澄清。BIS表示,不会直接推定该公司高管协助了受限制交易,而是视具体情况而定,取决于公司的工作性质以及高管在该公司和有关活动中发挥的作用。如果高管事后声称他们并不“知情”,BIS将评估该高管理论上对被禁止的活动是否知情以及知情程度。如果确定该高管是为了试图规避EAR许可证要求而回避信息,那么极有可能构成违反EAR。而对于知情的高管,BIS也会依据具体事实判断该高管的行为以及他们代表公司作出的决定是否属于本条所限制的“支持”活动之一。

 

其次,EAR744.6(d)(1)规定,特定受EAR管辖的物项会被EAR第734部分的相关规定排除出EAR管辖范围,例如EAR734.7所规定的已被“公开(published)”的“信息”和EAR734.8所规定的在基础研究过程中产生的或产生于基础研究的“技术”或“软件”。如果美国人的行为所涉及的不受EAR管辖的物项也符合前述管辖排除条款的标准,那么在本条下将不受限制。

 

(三)补充遵守针对美国人行为限制性规定的合规尽调要求

 

1017规则还向美国人提出了针对上述限制性规定的尽调要求。EAR744.6(c)规定,美国人开展上述活动前,应进行尽职调查,评估物项是否用于总部或其最终母公司设在澳门或D:5国家组国家的实体的设施开发或生产先进节点集成电路。适当的尽职调查包括但不限于审查公开信息、所提供物项的功能、相关市场数据和最终用途说明。

 

四、修订临时通用许可,减小对供应链的影响

 

BIS在EAR736部分附件1中对应发布了两项到期时间为2025年12月31日的暂行通用许可(TGL),其一是豁免EAR744.23(a)(4)对特定芯片生产制造设备相关最终用途的许可要求,避免过度限制总部位于美国或A:5或A:6国家组国家的公司为其在D:5国家组国家或中国澳门的制造工厂采购受EAR管辖的物项。其二是豁免在EAR742.6(a)(6)(iii)下对特定先进芯片出口行为所设置的许可要求,以便保障在特定国家范围内进行的集成、组装(安装)、检验、测试、质量保证和分销等活动。

 

具体TGL的适用条件如下:

 

图片

 

BIS强调,上述TGL并不可以突破EAR关于最终用途和最终用户的限制性规定,特别是EAR744.11或744.21的许可要求(实体清单和军事最终用途/用户)。其次,该TGL不得用于在中国澳门或D:5国家组国家境内所进行的本土国产化(indigenous)开发或生产。

 

五、新增风险信号示例,帮助相关主体识别违规行为

 

针对1007规则实施以来的执法实践,BIS在EAR732部分附录3“了解你的客户”合规指南下补充了一系列“风险信号(redflag)”示例,帮助相关主体判断特定场景下的交易是否存在违规风险,具体新增风险信号如下:

 

风险信号

序号

适用场景

具体内容

1

识别可能涉及先进节点集成电路生产或超级计算用途的企业

在1007规则之前,客户公司网站或其他营销材料中显示该公司已宣传或以其他方式表明其有能力开发或生产先进节点集成电路

2

虽然客户声明有关物项并非用于开发或生产先进节点集成电路,但拟向该客户出口的物项通常专门或主要用于生产先进节点集成电路(即客户声明的物项用途与该物项的通常用途不符,是较为常见的风险信号)

3

客户被人所熟知,有为位于中国或其他D:5国家组国家的公司开发或生产涉及超级计算机的物项

4

出口商知道一些迹象显示该客户意图在未来开发或生产超级计算机或先进节点的集成电路(即要求出口商评估客户预期的未来能力)

5

半导体制造商在收到来自特定国家或主体的订单时,识别拟生产物项是否可能因先进计算FDP规则而受到管控

出口商知道其正在或试图在半导体制造设施中为特定主体生产符合以下条件的集成电路或计算机、电子组件或部件: (1) 包含超过500亿个晶体管,以及 (2) 包含高带宽内存 (HBM)

该等情况构成风险信号,提示该等物项很可能构成先进计算FDP下的直接产品,进而在向特定国家或主体出口时触发许可证要求; 除非出口商通过各种方式确定该等物项不在先进计算FDP的限制范围内,则风险信号可解除。BIS进一步为半导体制造商提供了如何计算芯片内晶体管的数量的技术指引

 

BIS表示,在出现相关风险信号之后,再出口商或转运商应当采取额外合规尽调措施来确认交易的合规性,例如从要求生产物项的实体处获得更多信息,以决定被生产的物项是否落在FDP规则所设定的产品范围之内。再出口商或转运商也可请求BIS帮助其审查确认,将被生产的外国物项是否在相关FDP规则下构成“直接产品”而受EAR管辖。不过BIS鼓励半导体生产工厂在求助BIS之前首先尝试自己解决该些问题。

 

结语

 

1017规则发布后,我国商务部发言人10月18日答记者问时表示[10],该规则在去年10月7日出台的规则基础上,进一步加严对人工智能相关芯片、半导体制造设备的对华出口限制。美方不断泛化国家安全概念,滥用出口管制措施,实施单边霸凌行径。中方对此强烈不满,坚决反对。

 

正如我商务部发言人所指出的,半导体产业高度全球化,美方不当管制严重阻碍各国芯片及芯片设备、材料、零部件企业正常经贸往来,严重破坏市场规则和国际经贸秩序,严重威胁全球产业链供应链稳定。美国半导体企业损失巨大,其他国家半导体企业也受到影响。尽管1007规则实施一年以来,BIS已收到许多类似的公众反馈,但BIS强调,相关管制规则始终是以“在不损害民事应用贸易的情况下,从国家安全或外交政策角度考虑,对贸易进行必要的限制”为原则设计和实施的,相关管制措施对于芯片行业和贸易的冲击不能阻止BIS采取行动保护美国的国家安全和外交政策利益。美国商务部部长Gina Raimondo也在路透社采访中表示,芯片相关的出口管制措施未来有较大概率(probably)每年至少更新一次[11]

 

BIS在1017规则中表示,其担心中国企业有可能利用“基础设施级服务(Infrastructure as a Service, IaaS)”[12]规避相关的出口管制,并邀请公众,尤其是IaaS供应商就IaaS行业遵守相关出口管制域外管辖的可行性以及具体方法发表意见。因此我们认为,人工智能公司利用云服务供应商和通过第三方租用访问权来访问先进芯片等“规避美国出口管制”的行为极有可能是BIS下一轮规则修订针对的重点。我们建议,相关企业应密切关注美国政府在相关领域的政策动态,为应对未来可能发生的新增管制规定做好准备。
 

注释:

[1] https://www.cnas.org/press/press-note/cnas-responds-export-controls-on-china#:~:text=Today%2C%20the%20Commerce%20Department%20released,initial%20introduction%20of%20export%20controls.

[2] https://www.reuters.com/technology/biden-cut-china-off-more-nvidia-chips-expand-curbs-more-countries-2023-10-17/

[3] https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1045810/000104581023000217/nvda-20231017.htm

[4] 领先的半导体行业市场研究公司(VLSI Research)发布的2020年全球营收排行显示:美国上榜4家企业、市场占比为38.9%;日本上榜7家企业、市场占比为21.6%;荷兰上榜2家企业、市场占比为18.3%。

[5] https://www.asml.com/en/news/press-releases/2023/statement-regarding-us-governments-export-control-regulations-announcement

[6] https://irds.ieee.org/images/files/pdf/2016_MM.pdf

[7] 19项软件或技术是指ECCN为3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、4D001、4D090、4D993、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、5D002、5D991、5E001、5E991或5E002的软件或技术

[8] 19项软件或技术是指ECCN为3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、4D001、4D090、4D993、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、5D002、5D991、5E001、5E991或5E002的软件或技术

[9] BIS would not consider the following five activities to be “facilitation” provided that they are performed by administrative or clerical staff and are undertaken only to carry out a decision maker’s decision to export, reexport, or transfer(in-country)items that may require a license under the EAR: provision of back-office services that help the business to function, such as IT services, financial services, or human resources support; order intake and processing; invoicing and cash or receivables collection activities; legal advice and counseling on the requirements of the EAR or other compliance obligations; and referring any matters or opportunities to non-U.S. persons. Two other activities raised by the commenter would not require a license because although they are a type of facilitation that would otherwise be prohibited, they have been authorized and, as such, the “U.S. person” could engage in these types of authorized facilitation activities: trade compliance clearance of licensed shipments or other authorized activities with PRC semiconductor customers including Entity List parties and providing administrative and limited servicing support for shipments to Entity List parties authorized by BIS licenses.

Finally, with respect to “management oversight by U.S. persons located in China or abroad,” BIS would need additional information on whether the oversight involves decisions to export, reexport, or transfer(in-country)items that require a license under the EAR. If it did, the oversight as a type of facilitation would require a license.

[10] https://www.news.cn/world/2023-10/18/c_1129923148.htm

[11] https://www.reuters.com/technology/biden-cut-china-off-more-nvidia-chips-expand-curbs-more-countries-2023-10-17/

[12] 基础设施级服务(Infrastructure as a Service, IaaS)是一种通过互联网以服务的形式按需提供具有高扩缩能力的计算资源的服务,可通过云为企业和个人提供按需基础架构资源,例如计算、存储、网络和虚拟化。这样企业就无需自行采购、配置或管理基础架构,而且只需要为实际使用的资源付费。按传统方式获取计算资源以运行应用或存储数据需要的时间和资金成本很高。 企业必须通过采购流程(可能需要几个月)采购设备。必须投资于物理空间:通常是配有电源和冷却设施的专用房间。部署系统后,企业还需要IT专业人员管理和维护系统。  一旦需求激增或者业务增长,这样的环境将很难扩缩。企业可能会面临要么容量不足,要么过度构建并为用不到的基础架构付费的窘境。